

1. พัลส์ระดับซับนาโนวินาที; คุณภาพลำแสงใกล้ขีดจำกัดการเลี้ยวเบน; พลังงานพัลส์สูงและกำลังพีกสูง
2. โครงสร้างทางออปติกแบบไฟเบอร์ทั้งหมดที่เป็นเอกลักษณ์ ให้สมรรถนะการแปรรูปเหนือกว่าเลเซอร์ซับนาโนวินาทีชนิดอื่นในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์และโฟโตโวลเทอิก พร้อมเสถียรภาพดีเยี่ยม
3. ปรับอัตราการทำซ้ำได้
4. โครงสร้างกะทัดรัด ใช้พื้นที่ติดตั้งน้อย
การตัด การเจาะ และการกรีดร่อง (กระจก ซิลิคอน เซรามิก);
การสร้างลวดลายบนฟิล์มบาง (โลหะ ฟิล์มบาง);
การมาร์ก (กระจก ซิลิคอน เซรามิก โลหะ พลาสติก)
รุ่นเครื่อง | เลเซอร์ซับนาโนวินาทีอินฟราเรด NPFL-80IR-1.01 |
โหมดการทำงาน | พัลส์ |
กำลังเฉลี่ย (W) | 80 |
ความยาวคลื่นกลาง (nm) | 1064 |
ความกว้างเส้นสเปกตรัม (nm) | <30; ความกว้างเส้น 3 dB |
อัตราการทำซ้ำ (kHz) | 100–2000; ปรับได้ |
ความกว้างพัลส์ (ns) | 0.1–0.2 ns; กำหนดเองได้ |
พลังงานพัลส์เดี่ยวสูงสุด (mJ) | 0.8 |
ช่วงการปรับกำลัง (%) | 0-100 |
เวลาตอบสนอง (us) | <100 |
คุณภาพลำแสง (M²) | ≤1.5 |
ความเสถียรของกำลัง (%) | ≤3%; 24 h |
ขนาดจุดลำแสง (mm) | 3.0±0.2; 1/e2 |
ค่าความรีของลำแสง (%) | >90; ค่าทั่วไป 92% |
การเยื้องของลำแสง (mm) | <1.0 |
มุมการกระจายลำแสง (mrad) | <0.5 |