

1. ปรับความถี่การทำซ้ำได้
2. การออกแบบแบบโมดูลาร์
3. เอาต์พุตในโหมด TEM00
4. กำลังเฉลี่ยสูง สูงสุด 30 W
ด้วยเทคโนโลยีการแปรรูปแบบเย็นเฉพาะที่ทำให้บริเวณที่ได้รับผลกระทบจากความร้อน (HAZ) มีขนาดเล็กมาก เครื่องนี้จึงสามารถแปรรูปละเอียดพิเศษและสร้างโครงสร้างจุลภาคบนวัสดุอโลหะเปราะสำหรับการผลิตระดับไฮเอนด์ได้ ใช้อย่างแพร่หลายในอุตสาหกรรม 3C และกระบวนการสำคัญในการผลิตโทรศัพท์มือถือ มียอดส่งมอบรวมมากกว่า 15,000 เครื่อง และครองอันดับต้น ๆ ด้านส่วนแบ่งตลาดของเลเซอร์ระดับเดียวกัน
ขอบเขตการใช้งาน:
1. การมาร์ก การแยกแผง PCB (Depaneling) การตัด และการเจาะ PCB และ FPC
2. การแปรรูปไมโครโฮลและบลายด์โฮลบนเวเฟอร์ซิลิคอน
3. การแปรรูปเซลล์แสงอาทิตย์
4. การกรีดร่องเวเฟอร์ซิลิคอน
5. การกรีดร่อง การตัด และการเจาะเซรามิก
6. การกำจัดหมึกและสารเคลือบ PVD
7. การมาร์กพื้นผิววัสดุ

รุ่นเครื่อง | HL-NS-355-5/10/15 | HL-NS-355-20 |
คุณลักษณะเลเซอร์ | ||
ความยาวคลื่น | 355 nm | |
กำลัง | 5 W/10 W/15 W | 20 W |
ความถี่การทำซ้ำ | 10-200 kHz | 60–400 kHz |
ความกว้างพัลส์ | 10-100 ns | 20-100 ns |
ความเสถียรของพัลส์ | <3%rms,1σ | <3%rms,1σ |
คุณลักษณะลำแสง | ||
โหมดเชิงพื้นที่ | TEM00 | |
M² | <1.3 | |
ระดับโพลาไรเซชัน | 100:1 แนวนอน | |
เส้นผ่านศูนย์กลางจุดลำแสง | 1.1 mm ±0.1 mm | 1.4 mm ±0.2 mm |
มุมการกระจายเต็มมุมของลำแสง | <2 mrad | |
ความสมมาตรของจุดลำแสง | >90% | |
ทิศทางลำแสง | <± 25 µrad/℃ | |
สภาวะการทำงาน | ||
แรงดันไฟฟ้าจ่าย | 100-240 V,50 -60 Hz | |
เวลาอุ่นเครื่อง | จากโหมดสแตนด์บายถึงพร้อมใช้งาน: <10 min; | |
ช่วงอุณหภูมิ | ขณะใช้งาน: 18~35℃; ขณะไม่ใช้งาน: 0~50℃ | |
ความชื้น | 10–90%, ไม่ควบแน่น | |
วิธีการระบายความร้อน | ระบายความร้อนด้วยน้ำ; ความแม่นยำของชิลเลอร์: ±0.1℃; อัตราการไหลขั้นต่ำ: 6 L/min | |
การใช้พลังงานรวม | <1000 W | |
คุณลักษณะทางกายภาพ | ||
ขนาดหัวเลเซอร์ (L × W × H) | 500 mm×230.5 mm×132 mm | |
น้ำหนักหัวเลเซอร์ | 18 kg | |
ขนาดคอนโทรลเลอร์ (L × W × H) | 477 mm× 440 mm × 177 mm | |
น้ำหนักคอนโทรลเลอร์ | 21 kg | |